近年來,中國新能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,加速了上游電力電子器件的國產(chǎn)化進(jìn)程。SiC MOSFET及硅IGBT功率半導(dǎo)體模塊作為新能源汽車、新能源發(fā)電等電力電子系統(tǒng)中的核心部件,全面國產(chǎn)化勢在必行。FT測試,作為功率半導(dǎo)體器件出廠的最后一道關(guān)卡,承擔(dān)著把住門檻(篩選不良品)和保住產(chǎn)能(持續(xù)交付)的重要責(zé)任。
作為碳化硅核心功率部件創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,忱芯科技主要為寬禁帶功率半導(dǎo)體及高性能IGBT功率半導(dǎo)體提供從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線全系列覆蓋的ATE測試裝備,產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)從晶圓級、器件級、到應(yīng)用級全覆蓋。目前,ATE全系列已延展至Wafer & Die動靜態(tài)與可靠性測試系統(tǒng),不僅可實(shí)現(xiàn)高性能測試,300UPH的效率也讓測試不再成為產(chǎn)能瓶頸,助力中國芯發(fā)展,強(qiáng)力賦能功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化浪潮。
測得準(zhǔn) 測得快 測得可靠
車規(guī)級應(yīng)用對于功率半導(dǎo)體性能要求極高,只要wafer、晶圓、封裝、工藝等任一環(huán)節(jié)出現(xiàn)缺陷,最終將導(dǎo)致功率半導(dǎo)體無法滿足客戶要求。而在每一環(huán)節(jié),精準(zhǔn)捕捉缺陷,篩選并淘汰不良品,確保向客戶交付高性能高可靠的功率半導(dǎo)體器件/模塊是每一家功率半導(dǎo)體企業(yè)建立品牌力、提高市占率、謀求長遠(yuǎn)發(fā)展的必經(jīng)之路。
沒有精準(zhǔn)測量,何談精準(zhǔn)捕捉?
忱芯科技Edison系列SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件動靜態(tài)測試系統(tǒng),重點(diǎn)突破影響精準(zhǔn)、可靠測試的關(guān)鍵卡脖子難點(diǎn),包括:
超低回路雜感先進(jìn)疊層電容母排(小于10nH); 經(jīng)過多家頭部車企實(shí)力驗(yàn)證的高速、高頻、高可靠數(shù)字驅(qū)動電路(共模瞬變抗擾度高達(dá)200V/nS); 高速短路電流保護(hù)能力(短路測試能力高達(dá)10000A,保護(hù)時(shí)間<2uS); 獨(dú)家系統(tǒng)集成及算法,測試效率高達(dá)300UPH等,實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的精準(zhǔn)測試,為駕馭SiC/IGBT日益嚴(yán)苛的高標(biāo)準(zhǔn)測試保駕護(hù)航。
推出至今,Edison系列SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件動靜態(tài)測試系統(tǒng)已成功在多家頭部功率半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)裝機(jī),量產(chǎn)運(yùn)行可靠、穩(wěn)定。
動態(tài)測試系統(tǒng)·產(chǎn)線版 & 靜態(tài)測試系統(tǒng)·產(chǎn)線版
持續(xù)突破
為SiC功率半導(dǎo)體可靠性測試“量身定制”
忱芯科技推出國內(nèi)首臺SiC單管功率器件
與功率模塊動態(tài)可靠性系統(tǒng)
以新能源汽車、新能源發(fā)電實(shí)際應(yīng)用工況為導(dǎo)向,Dynamic HTGB/HTRB/H3TRB系統(tǒng),通過監(jiān)測SiC MOSFET實(shí)際應(yīng)用柵極開關(guān)運(yùn)行條件下的特性參數(shù)變化,研究交流偏壓溫度不穩(wěn)定性(AC BTI)的失效機(jī)制,驗(yàn)證并評估SiC MOSFET器件的柵極可靠性,英飛凌等國際功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)已經(jīng)采用動態(tài)可靠性測試方法提升SiC MOSFET可靠性,已經(jīng)被納入AQG324、JEDEC等國際標(biāo)準(zhǔn)。
但是,實(shí)現(xiàn)高頻、高速、高精度、高可靠的動態(tài)可靠性測試,對于設(shè)備來說,挑戰(zhàn)巨大。
忱芯科技核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)率先開展技術(shù)攻堅(jiān),已成功推出業(yè)內(nèi)首臺SiC MOSFET Dynamic HTGB/HTRB/H3TRB系統(tǒng),覆蓋碳化硅單管功率器件及功率模塊測試,實(shí)現(xiàn)可調(diào)頻率(交流動態(tài)應(yīng)力頻率高達(dá)500kHz),門極高頻應(yīng)力發(fā)生器dV/dt>1V/ns,漏極高頻應(yīng)力發(fā)生器dV/dt>50V/ns,可調(diào)正負(fù)驅(qū)動電壓與占空比、實(shí)現(xiàn)多器件高溫(200℃)、高速、高精度動態(tài)可靠性測試。讓高溫、高頻應(yīng)力下,完美的方波電壓不再只停留在教科書上。
忱芯科技SiC MOSFET動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)
同時(shí),為響應(yīng)客戶的急迫需求,忱芯科技集中優(yōu)勢研發(fā)力量,已開始覆蓋晶圓級測試系統(tǒng),包括KGD、動態(tài)WLR等ATE測試設(shè)備,預(yù)計(jì)2023年下半年陸續(xù)裝機(jī)交付。
About UniSiC
忱芯科技主要為寬禁帶功率半導(dǎo)體及高性能IGBT功率半導(dǎo)體提供從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線全系列覆蓋的ATE測試裝備。產(chǎn)品線延展從晶圓級、器件級、到應(yīng)用級全覆蓋。
忱芯科技的核心亮點(diǎn)和核心優(yōu)勢在于對碳化硅功率半導(dǎo)體特性精準(zhǔn)特測與高頻電力電子應(yīng)用的深刻理解,公司的主要研發(fā)團(tuán)隊(duì)來源于GE中央研究院,從事碳化硅功率半導(dǎo)體與應(yīng)用研究逾十年,且成功開發(fā)了多個(gè)碳化硅行業(yè)首臺套產(chǎn)品,性能國際領(lǐng)先。
目前,忱芯科技功率半導(dǎo)體動靜態(tài)ATE設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量量產(chǎn),產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)了晶圓級、器件級、應(yīng)用級的全覆蓋,主要包括:動態(tài)測試系統(tǒng)、靜態(tài)測試系統(tǒng)、動態(tài)可靠性測試系統(tǒng)、車規(guī)級連續(xù)功率(無功老化)測試系統(tǒng)、DHTOL功率半導(dǎo)體器件帶載老化測試系統(tǒng)、KGD動靜態(tài)測試系統(tǒng)、WAT測試系統(tǒng)、WLR可靠性測試系統(tǒng)等。賦能功率半導(dǎo)體晶圓與封裝及新能源賽道企業(yè)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)、可靠、高性價(jià)比測試。
文章及圖片來源 | 忱芯科技