安森德SJ MOSFET應(yīng)用

隨著科技的不斷進(jìn)步，人工智能、5G通信技術(shù)、新能源等日益興起，而新技術(shù)在不同的應(yīng)用場(chǎng)景下也面臨著不同的考驗(yàn)，隨之配套的大功率電源正是其中之一。大功率電源正面臨著體積、重量、工作效率、抗干擾性能、電池兼容、待機(jī)能耗以及安全性等諸多方面的挑戰(zhàn)。

超結(jié)MOSFET具有低導(dǎo)通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，在大功率電源中發(fā)揮著重要作用。隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，超結(jié)MOSFET的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗將進(jìn)一步降低，為各種大功率電源設(shè)備帶來(lái)更高的效率和更低的能源消耗。

效率高

較高的輕載、滿(mǎn)載效率，超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg，有效的降低導(dǎo)通、開(kāi)關(guān)損耗。

低溫升

較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長(zhǎng)電源的使用壽命。

穩(wěn)定性強(qiáng)

強(qiáng)大的 EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。

內(nèi)阻低

超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。

體積小

在同等電壓和電流要求下，超結(jié)MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小，可以封裝更小尺寸的產(chǎn)品。

深圳安森德半導(dǎo)體有限公司（ASDsemi）成立于2018年，是一家更懂應(yīng)用的模擬芯片和系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)公司，擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)發(fā)明專(zhuān)利20+，先后獲得國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，創(chuàng)新型中小企業(yè)，ISO9001認(rèn)證企業(yè)等榮譽(yù)資質(zhì)。

安森德（ASDsemi）堅(jiān)持“技術(shù)驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新”的發(fā)展路線，產(chǎn)品覆蓋功率器件：中低壓 MOS、高壓超結(jié)MOS、第三代半導(dǎo)體SiC、GaN；模擬芯片：電源管理芯片、信號(hào)鏈芯片；SiP系統(tǒng)級(jí)芯片三大類(lèi)產(chǎn)品線。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信、BMS、電機(jī)、電源、家電、工業(yè)、新能源、儲(chǔ)能、光伏、電力、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等眾多領(lǐng)域。