大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能的興起，通信基站、數(shù)據(jù)中心及自動駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來支持更強勁的算力需求。這對供電電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)提出了嚴峻挑戰(zhàn)，包括：更高的效率、更高的功率密度，同時滿足極高的瞬態(tài)響應(yīng)要求。多相Buck電源（多相控制器+DrMOS）正是低壓、高功耗應(yīng)用場景的最佳解決方案。
矽力杰DrMOS方案
矽力杰SQ29670是一顆單芯片SPS/DrMOS，芯片內(nèi)部集成解耦電容，MOSFET，驅(qū)動及控制單元，采用業(yè)界標準封裝。通過優(yōu)化的驅(qū)動和死區(qū)控制邏輯，能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。通過使用AutoZero運放，提供了高精度，快速響應(yīng)的IMON波形。嚴密的控制和保護邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電源設(shè)計。
SQ29670 16V/70A集成功率級DrMOS
◆ 70A連續(xù)電流輸出能力
◆ 集成功率MOS和驅(qū)動電路
◆ 開關(guān)頻率高達2.0MHz
◆ 內(nèi)部集成的解耦電容
◆ 3.3V PWM輸入，兼容三態(tài)邏輯
◆ 5uA/A 精確電流采樣上報
◆ 8mV/℃ 內(nèi)部溫度采樣上報
◆ VDRV/VCC/VBST/VIN 欠壓保護
◆ 過熱保護
◆ 可編程的逐周期峰值電流保護和谷值電流保護
◆ 負電流保護
◆ 三態(tài)中自舉電容充電功能
◆ 基于TMON和IMON引腳的故障上報功能
◆ 業(yè)界標準的LGA5x6-41和LGA4*6-34封裝
典型應(yīng)用
SQ29670典型應(yīng)用框圖
SQ29670支持5V~16V的Vin電壓范圍。支持3.3V電平的PWM輸入信號并兼容三態(tài)輸入信號。死區(qū)時間，傳播延遲和驅(qū)動邊沿的調(diào)整使其可以高效安全運行。
SQ29670內(nèi)部集成了8mV/℃的溫度傳感器并可通過TMON實時報告溫度，25℃下典型輸出電壓為800mV。TMON內(nèi)部可上拉或下拉用作故障標志位，同時IMON內(nèi)部可在故障時上拉或下拉到固定電平用于指示故障類型。
SQ29670可以實時采樣內(nèi)部MOSFET的電流信息并重建為與電感電流成正比的三角波，內(nèi)建的溫度補償使其能達到5uA/A ±5%的精度輸出。SQ29670支持包括OCP，NOCP，OTP等多種保護，以實現(xiàn)安全可靠運行。
SQ29670 IMON 波形
SQ29670 IMON精度曲線
SQ29670 效率曲線
SQ29670 開關(guān)波形
Silergy
Computing Power
隨著多核架構(gòu)處理器的普及，微處理器（CPU/GPU等）所需的功率急劇增加，對電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）提出了更高的要求，傳統(tǒng)方案中，采用分立的上管，下管MOSFET與驅(qū)動器來搭建電路，SPS/DrMOS將MOSFET與其驅(qū)動器集成到單個芯片上，從而實現(xiàn)了電源的高效率和高功率密度。
SQ29670通過高度集成，與優(yōu)化設(shè)計，提供了高效率的DrMOS方案，為提高電源整體效率，減小系統(tǒng)尺寸提供了幫助。
文章及圖片來源 | 矽力杰
關(guān)于elexcon2024
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27-29日在深圳會展中心(福田)舉辦。匯聚600+家全球優(yōu)質(zhì)品牌廣商齊聚現(xiàn)場，打造電子全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺。集中展示集成電路、嵌入式系統(tǒng)、電源管理/功率器件、電子元件與供應(yīng)鏈、OSAT封裝服務(wù)、Chiplet異構(gòu)集成產(chǎn)業(yè)鏈專區(qū)、3D IC設(shè)計/EDA工具、IC載板/玻璃基板、先進材料、半導(dǎo)體制造專用設(shè)備等熱門產(chǎn)品；展會期間還將舉辦一系列技術(shù)論壇，展示全球產(chǎn)業(yè)動態(tài)及未來技術(shù)趨勢。參展/演講/贊助請聯(lián)系：0755-8831 1535，更多展會詳情請登錄：m.cdyanxi.cn 。
