科技對(duì)算力的需求、消費(fèi)者的購(gòu)買力是存儲(chǔ)市場(chǎng)的兩大主要驅(qū)動(dòng)力。未來幾年，生成式人工智能將成為存儲(chǔ)器行業(yè)的重要驅(qū)動(dòng)因素。首先，在推理和訓(xùn)練中需要使用大量的GPU加速卡，其中有大量的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM），幫助其快速高效的處理并行數(shù)據(jù)。其次，生成式人工智能也將推動(dòng)終端消費(fèi)電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代，如AI PC有望將引發(fā)新一輪PC換機(jī)潮，隨著生成式AI技術(shù)的發(fā)展，預(yù)計(jì)將縮短未來PC的更換周期。
如今存儲(chǔ)芯片上漲風(fēng)氣正勝，存儲(chǔ)器備受關(guān)注。本期就讓我們將目光聚焦于蓄勢(shì)待發(fā)的存儲(chǔ)廠商。面向未來行業(yè)增長(zhǎng)的AI服務(wù)器、AI PC、移動(dòng)終端、智能汽車等核心驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，全球巨頭和國(guó)內(nèi)翹楚都布局了哪些新的技術(shù)和重磅產(chǎn)品？讓我們一起來盤點(diǎn)下：
AIGC推動(dòng)存儲(chǔ)架構(gòu)新變革
AIGC 浪潮帶動(dòng) AI 服務(wù)器與高端 GPU 需求不斷上漲，并有望持續(xù)推動(dòng) HBM 存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)高速成長(zhǎng)。HBM的優(yōu)勢(shì)在于打破了內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，屬于圖形DDR內(nèi)存的一種，通過使用先進(jìn)的封裝方法（TSV硅通孔技術(shù)）垂直堆疊多個(gè)DRAM，與GPU通過中介層互聯(lián)封裝在一起，大幅縮小使用面積；并且 HBM 距離 GPU 更近，進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)傳輸速度。
隨著AMD、英偉達(dá)等推出的GPU競(jìng)相搭載HBM芯片，HBM正成為HPC軍備競(jìng)賽的核心。根據(jù)方正證券報(bào)告，2022年全球HBM市場(chǎng)規(guī)模約為36.3億美元，預(yù)計(jì)至2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)127.4億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)37%。當(dāng)前HBM市場(chǎng)三分天下，SK海力士技術(shù)領(lǐng)先，三星、美光正加速追趕。
SK海力士
全球人工智能存儲(chǔ)器龍頭供應(yīng)商 —— SK海力士HBM3E率先達(dá)到了業(yè)界1.18TB/秒的數(shù)據(jù)處理速度，滿足了人工智能市場(chǎng)快速處理海量數(shù)據(jù)的需求。該產(chǎn)品還采用了Advanced MR-MUF2新技術(shù)，散熱性能提升了10%，計(jì)劃于 2024 年上半年開始量產(chǎn)。此外，消息稱SK海力士已確認(rèn)2024年將啟動(dòng)下一代HBM4的開發(fā)工作。（圖片來源：SK海力士）
三星電子
全球存儲(chǔ)芯片龍頭供應(yīng)商 —— 三星電子32Gb DDR5 DRAM 是目前單芯片容量最大的DRAM產(chǎn)品，于2023 年9月首次開發(fā)，是一款適用于服務(wù)器的高容量產(chǎn)品系列。此外，三星電子將引領(lǐng)AI創(chuàng)新的超高性能HBM3E DRAM“Shine Bolt”與現(xiàn)有HBM3產(chǎn)品相比，性能和容量提升了50%以上。HBM3E采用12層（堆疊）技術(shù)，提供每秒1280GB的帶寬和高達(dá)36GB的高容量。（圖片來源：三星電子）
江波龍
作為國(guó)內(nèi)少數(shù)可同時(shí)研發(fā)并量產(chǎn)企業(yè)級(jí)RDIMM和SSD的廠商之一 —— 江波龍（elexcon2024參展商）旗下行業(yè)類存儲(chǔ)品牌FORESEE還推出了DDR5 RDIMM與PCIe SSD的產(chǎn)品組合方案，以匹配AI服務(wù)器領(lǐng)域大帶寬、低延遲的主要需求，該方案也可作為HBM需求的有益補(bǔ)充，目前已成功量產(chǎn)。（圖片來源：江波龍）
目前 HBM 可以提升主存的速度，而新型存儲(chǔ)器則推動(dòng)了存算一體技術(shù)迭代。其中，阻變存儲(chǔ)器ReRAM是實(shí)現(xiàn)存算一體的最佳方案之一。
ReRAM 的單元面積極小，可做到 4F2，讀寫速度是 NAND FLASH 的 1000 倍，且功耗下降 15 倍。同時(shí)利用 ReRAM 存儲(chǔ)技術(shù)的電阻特性，可實(shí)現(xiàn)乘加運(yùn)算，從而形成新的存算一體運(yùn)算架構(gòu)，突破現(xiàn)有馮諾依曼架構(gòu)瓶頸， 從而實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng) AI 芯片能效比的數(shù)量級(jí)提升。在 ReRAM 商業(yè)化方面，國(guó)際廠商松下、Crossbar、Adesto、Elpida、東芝、索尼、美光、海力士、富士通等都在開展 ReRAM 的研究和生產(chǎn)。
AI PC帶動(dòng)存儲(chǔ)規(guī)格升級(jí)
在剛剛過去的CES 2024上，AMD、英偉達(dá)、聯(lián)想、宏碁等芯片和消費(fèi)電子大廠聯(lián)袂亮出了最強(qiáng)AI PC陣容，昭示著AI PC元年拉開序幕，這也代表著大模型引領(lǐng)的AIGC應(yīng)用正式在終端市場(chǎng)拉開應(yīng)用普及的序幕，接下來同樣會(huì)是AI手機(jī)、AI平板、AI汽車……等終端產(chǎn)品的好戲。
AI PC是時(shí)下熱門的臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦新方案，旨在離線的狀態(tài)下，PC也能很好的完成一定規(guī)模的生成式AI創(chuàng)作、大模型計(jì)算，讓PC自己掌握自然語言交互下的文檔編輯、代碼編寫、圖片生成等頗具科幻色彩的操作。
與此同時(shí)，AI PC概念的出現(xiàn)也對(duì)PC硬件提出了全新的要求，包括專門針對(duì)人工智能加速的硬件設(shè)計(jì)，以及更大更快的存儲(chǔ)需求。特別是在筆記本電腦設(shè)計(jì)日漸輕薄化的當(dāng)下，如何同時(shí)滿足本地大模型對(duì)存儲(chǔ)空間高效能、大容量的需求成為迫切的需求。
鎧俠
NAND閃存技術(shù)發(fā)明者 —— 鎧俠BG6系列正是為此而生，在M.2 2230的規(guī)范下，鎧俠BG6系列仍然可以滿足PCIe? 4.0和NVMe? 1.4規(guī)范，并提供最高2,048GB容量，為動(dòng)輒數(shù)十GB、上百GB的素材庫與本地大模型提供存儲(chǔ)空間，同時(shí)高達(dá)6,000MB/s的讀取速度，給予輕薄型筆記本更快的應(yīng)用響應(yīng)。（圖片來源：鎧俠）
美光
全球存儲(chǔ)芯片巨頭 —— 美光科技旗下Crucial基于LPDDR5X DRAM的 LPCAMM2 內(nèi)存，為 PC 提供了更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。與SODIMM 產(chǎn)品相比，功耗降低高達(dá)61%，PCMark ? 10基本工作負(fù)載（如網(wǎng)頁瀏覽和視頻會(huì)議）性能提高高達(dá)71% ， 空間節(jié)省64%。LPCAMM2 內(nèi)存模塊現(xiàn)已出樣，并計(jì)劃于 2024 年上半年量產(chǎn)，這是自 1997 年業(yè)界采用小型雙列直插式內(nèi)存模塊（SODIMM）以來，客戶端 PC 首次采用顛覆性的全新外形規(guī)格。（圖片來源：美光）
長(zhǎng)江存儲(chǔ)
面對(duì)AI PC的“風(fēng)口”，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)龍頭 —— 長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了一系列存儲(chǔ)解決方案，滿足AI PC時(shí)代的存儲(chǔ)需求。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC411是首款采用第四代三維閃存芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤，突破了固態(tài)硬盤高性能、低功耗以及高性價(jià)比的“不可能三角”。PC411基于晶棧?Xtacking?架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)2400MT/s的I/O速率，且采用主機(jī)緩存方案（HMB），降低了客戶和用戶的成本。相較于傳統(tǒng)8通道方案產(chǎn)品，PC411減少了一半通道數(shù)量，顯著降低25%的功耗并減少發(fā)熱。（圖片來源：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）
朗科
作為全球閃存盤及閃存應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品與解決方案商 —— 朗科（elexcon2024參展商）旗艦級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品：絕影NV7000-t順序讀取速度最高可達(dá)7300MB/s，順序?qū)懭胨俣茸罡呖蛇_(dá)6700MB/s。容量方面，絕影NV7000-t采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存顆粒，支持512GB至4TB多種容量。除了支持筆記本、臺(tái)式PC使用外，絕影NV7000-t還能兼容PS5游戲機(jī)，無論是在游戲流暢度還是存儲(chǔ)數(shù)量上都將廣大玩家的體驗(yàn)感提升至一個(gè)新水平。（圖片來源：朗科）
未來移動(dòng)終端離不開高速存力
隨著智能手機(jī)市場(chǎng)的復(fù)蘇，存儲(chǔ)芯片需求呈現(xiàn)出增加的趨勢(shì)。最近在手機(jī)端支持AI大模型應(yīng)用的旗艦手機(jī)密集發(fā)布，那么有了端側(cè)SoC算力的助力，也需要更高速的DRAM和NAND Flash的存力來支持。
Lexar
作為全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)品牌和CF高速存儲(chǔ)卡讀取標(biāo)準(zhǔn)的建立者 —— Lexar雷克沙與慧榮科技近日正式宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出高速移動(dòng)固態(tài)硬盤Lexar SL500與Lexar ARMOR 700。其中，Lexar SL500移動(dòng)固態(tài)硬盤可提供容量高達(dá)4TB，采用USB3.2 Gen2x2傳輸標(biāo)準(zhǔn)，千兆秒傳，讀寫速度分別高達(dá)2000MB/s和1800MB/s。兼容性非常廣泛，可以適用手機(jī)、電腦、相機(jī)、Xbox、PlayStation等，并支持iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max外錄4K 60FPS ProRes Apple Log視頻。（圖片來源：Lexar）
佰維
國(guó)內(nèi)專注于存儲(chǔ)芯片研發(fā)與封測(cè)制造的翹楚廠商 —— 佰維基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲(chǔ)芯片，順序讀寫速度分別高達(dá)2100MB/s、1800MB/s，頻率高達(dá)6400Mbps，容量高達(dá)8GB+256GB，芯片尺寸小至11.5mm×13.0mm×1.0mm，相較于UFS3.1和LPDDR5分離的方案可節(jié)約55％主板空間，助力智能手機(jī)系統(tǒng)更靈活設(shè)計(jì)。（圖片來源：佰維）
時(shí)創(chuàng)意
在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域具備芯片設(shè)計(jì)、軟固件研發(fā)、封裝測(cè)試、模組生產(chǎn)測(cè)試及應(yīng)用于一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)和國(guó)家專精特新“小巨人”企業(yè) —— 時(shí)創(chuàng)意（elexcon2024參展商）推出的UFS3.1擁有128GB、256GB、512GB三種容量選擇，2024年將實(shí)現(xiàn)1TB容量的量產(chǎn)。UFS3.1，順序讀寫速度分別高達(dá)2100MB/s、1700MB/s，理論帶寬達(dá)2.9GB/s，廣泛應(yīng)用于高端智能手機(jī)、平板電腦、智能汽車、AR/VR等智能終端設(shè)備。（圖片來源：時(shí)創(chuàng)意）
智能汽車“存儲(chǔ)”未來
在智能座艙和高階輔助駕駛ADAS加速升級(jí)的大環(huán)境下，汽車智能表現(xiàn)也變得更為重要。特別是隨著大模型、人工智能甚至x86架構(gòu)、Chiplet小芯片功能定制化進(jìn)駐未來智能駕艙，汽車作為可移動(dòng)的高性能計(jì)算機(jī)，存儲(chǔ)性能將起到關(guān)鍵作用。
與手機(jī)和PC不同，汽車存儲(chǔ)需要考慮的使用環(huán)境和問題會(huì)更復(fù)雜，需要考慮更寬泛的運(yùn)行溫度，ADAS的快速響應(yīng)，同時(shí)還要兼顧車輛生命周期中的OTA升級(jí)、軟件更新、應(yīng)用擴(kuò)展等能力等等。
鎧俠
目前為止，鎧俠車載UFS已經(jīng)可以為車輛存儲(chǔ)容量提供高達(dá)512GB的方案，并擁有很好的帶寬擴(kuò)展與APP加載響應(yīng)速度。而在不久的將來，鎧俠車載UFS 4.0產(chǎn)品也將蓄勢(shì)待發(fā)，為行業(yè)提供標(biāo)桿級(jí)的存儲(chǔ)方案設(shè)計(jì)參考。（圖片來源：鎧俠）
兆易創(chuàng)新
中國(guó)存儲(chǔ)控制芯片和模組解決方案的頭部供應(yīng)商 —— 兆易創(chuàng)新旗下車規(guī)級(jí)GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash具有豐富的產(chǎn)品選擇，如2Mb~4Gb全容量覆蓋、高達(dá)400MB/s的數(shù)據(jù)吞吐率、保障安全的RPMC功能、提升可靠性的ECC算法和CRC校驗(yàn)、延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命的10萬次擦寫和20年數(shù)據(jù)保持能力、適應(yīng)空間受限的緊湊型封裝等，可以滿足智能駕艙、智能網(wǎng)聯(lián)、鋰電池、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等多種應(yīng)用領(lǐng)域的需求，這些完善的產(chǎn)品組合能夠全面滿足汽車電子應(yīng)用所需，實(shí)現(xiàn)一站式選擇。（圖片來源：兆易創(chuàng)新）
普冉半導(dǎo)體
業(yè)內(nèi)卓越的低功耗非易失性存儲(chǔ)器芯片及基于存儲(chǔ)芯片的衍生芯片供應(yīng)商 —— 普冉半導(dǎo)體（elexcon2024參展商）推出的車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)芯片PY25Q32HB-SUH-AR系列為32Mbit的NOR Flash 芯片，該款芯片主要應(yīng)用于車身雷達(dá)及其他智能座艙環(huán)節(jié)等需求，產(chǎn)品已通過 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。P24C64-FNH-MAR系列則是64Kbit的EEPROM芯片，主要應(yīng)用在車身前后視、環(huán)視攝像頭；智能座艙、車聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。其具備 -40℃~125℃ 的工作溫度、1.7V~5.5V 的超寬工作電壓，可以支持 USON2*3、TSSOP8、SOP8 150mil 等封裝形式。（圖片來源：普冉半導(dǎo)體）
嘉合勁威
中國(guó)內(nèi)存模組龍頭企業(yè) —— 嘉合勁威推出的神可（SINKER）G100系列固態(tài)硬盤搭載了聯(lián)蕓MAS0902A主控，采用SATA 接口，支持 SATA3.0協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，可配置128GB、256GB、512GB、1TB等容量。此外，該系列固態(tài)硬盤外置鉭電容，滿足軌道交通對(duì)固態(tài)硬盤的可靠要求，能在0℃~+70℃環(huán)境下穩(wěn)定工作，存儲(chǔ)溫度在-20℃~+85℃。在Windows下使用ATTO測(cè)試，該系列產(chǎn)品讀寫持續(xù)速度為520/500MB/S。（圖片來源：嘉合勁威）
關(guān)于elexcon2024
elexcon2024深圳國(guó)際電子展將于2024年8月27-29日在深圳會(huì)展中心(福田)舉辦。匯聚600+家全球優(yōu)質(zhì)品牌廣商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造電子全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)。集中展示集成電路、嵌入式系統(tǒng)、電源管理/功率器件、電子元件與供應(yīng)鏈、OSAT封裝服務(wù)、Chiplet異構(gòu)集成產(chǎn)業(yè)鏈專區(qū)、3D IC設(shè)計(jì)/EDA工具、IC載板/玻璃基板、先進(jìn)材料、半導(dǎo)體制造專用設(shè)備等熱門產(chǎn)品；展會(huì)期間還將舉辦一系列技術(shù)論壇，展示全球產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)及未來技術(shù)趨勢(shì)。參展/演講/贊助請(qǐng)聯(lián)系：0755-8831 1535，更多展會(huì)詳情請(qǐng)登錄：m.cdyanxi.cn 。
