iPhone 15電池健康改進(jìn)！蘋果重新測(cè)試了所有電池

2月22日，蘋果公司宣布重新測(cè)試了所有iPhone 15機(jī)型的電池，并確定它們能夠達(dá)到更高的標(biāo)準(zhǔn)。在當(dāng)天更新的一份支持文件中，蘋果公司表示，iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max的電池在理想條件下1000次完整充電循環(huán)時(shí)仍能保持80%的原始容量，而蘋果宣傳的所有老款iPhone都只有500次充電循環(huán)才能達(dá)到同樣水平。

蘋果公司告訴外媒MacRumors，其對(duì)iPhone 15機(jī)型的最新測(cè)試涉及在特定條件下對(duì)電池進(jìn)行1000次充放電，但沒有提供有關(guān)這一過程的任何確切細(xì)節(jié)。蘋果補(bǔ)充說，它一直在不斷改進(jìn)iPhone電池組件和電源管理系統(tǒng)。這一發(fā)現(xiàn)意味著，與之前的iPhone機(jī)型相比，iPhone 15機(jī)型的最大電池容量可能需要更長的時(shí)間才會(huì)下降到80%。

英國打造5G通信領(lǐng)域射頻氮化鎵器件自主供應(yīng)鏈

在英國科學(xué)、創(chuàng)新和技術(shù)部（DSIT）的支持下，由INEX Microtechnology、Custom Interconnect Ltd、Viper RF和化合物半導(dǎo)體應(yīng)用彈射中心（CSA Catapult）等機(jī)構(gòu)組成的項(xiàng)目聯(lián)盟，正致力于通過ORanGaN項(xiàng)目打造全新的自主供應(yīng)鏈，專注于研發(fā)英國的射頻氮化鎵（RF-GaN）產(chǎn)品和設(shè)備。這一項(xiàng)目的實(shí)施，不僅將為英國制造商提供更穩(wěn)固的保障，同時(shí)也將為硬件制造商開辟更廣闊的出口市場(chǎng)。更重要的是，它將對(duì)英國的5G基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)韌性產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，從而助力英國經(jīng)濟(jì)的持續(xù)增長。

目前，英國在商用RF-GaN器件的開發(fā)和生產(chǎn)方面尚未達(dá)到完全自給自足的狀態(tài)。ORanGaN項(xiàng)目的核心目標(biāo)正是彌補(bǔ)這一缺陷，通過研發(fā)新的制造工藝和封裝解決方案，打造5G核心組件，如基于氮化鎵技術(shù)的單片微波集成電路芯片（MMIC）。在此過程中，各合作伙伴將協(xié)同工作，從MMIC的設(shè)計(jì)與開發(fā)，到芯片的實(shí)際制造，再到技術(shù)的測(cè)試與表征，以及芯片的電子與封裝等環(huán)節(jié)，都將密切合作。項(xiàng)目計(jì)劃在2024年2月結(jié)束，標(biāo)志著英國在RF-GaN制造領(lǐng)域的出口能力邁上新的臺(tái)階。

三安/意法合資SiC襯底項(xiàng)目預(yù)計(jì)2024年8月份提前投產(chǎn)

據(jù)重科城微報(bào)消息，作為重慶在半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一旗艦項(xiàng)目，位于西部（重慶）科學(xué)城的三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目在春節(jié)期間不停工，建設(shè)取得快速進(jìn)展，預(yù)計(jì)年內(nèi)亮燈通線，比原計(jì)劃提前2個(gè)月。三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目，包括一家專業(yè)從事碳化硅外延、芯片、研發(fā)、制造、銷售的車規(guī)級(jí)功率芯片制造企業(yè)，以及為其提供碳化硅襯底的材料供應(yīng)商。

其中，車規(guī)級(jí)功率芯片制造企業(yè)，由國內(nèi)化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)三安光電和國際半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資設(shè)立，規(guī)劃總投資約32億美元。達(dá)產(chǎn)后，每年能生產(chǎn)48萬片8吋碳化硅車規(guī)級(jí)MOSFET功率芯片，在行業(yè)處于前沿水平。安意法半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理張潔博士表示：“樂觀地預(yù)計(jì)，在今年的8月和11月，我們能夠分別進(jìn)行襯底廠和芯片廠的點(diǎn)亮投產(chǎn)。

英飛凌與安克聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心，攜手發(fā)力PD快充領(lǐng)域

英飛凌近日宣布其與全球充電技術(shù)領(lǐng)域巨頭安克創(chuàng)新(Anker Innovations) 在深圳聯(lián)合成立創(chuàng)新應(yīng)用中心。該創(chuàng)新應(yīng)用中心全面投入運(yùn)營之后，將為開發(fā)能夠減少二氧化碳排放的高能效充電解決方案鋪平道路，從而推動(dòng)低碳化進(jìn)程。借助該創(chuàng)新應(yīng)用中心，行業(yè)專家將基于英飛凌新一代混合反激式（HFB）控制器產(chǎn)品系列和用于100 W以上快充充電器的CoolGaN?IPS產(chǎn)品系列進(jìn)行深入開發(fā)，為市場(chǎng)提供更高功率密度與高能效的PD快充解決方案。

英飛凌&Worksport將GaN用于車載便攜電源

2月7日，英飛凌宣布與Worksport合作，后者將在其便攜式發(fā)電站的轉(zhuǎn)換器中使用GaN器件。據(jù)介紹，Worksport公司的 COR 電池系統(tǒng)可集成到皮卡車上，由太陽能電池板或墻上插座充電。該公司表示，通過使用英飛凌的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管取代電源轉(zhuǎn)換器中以前的硅開關(guān)，并以更高的開關(guān)頻率運(yùn)行晶體管，可以將電池系統(tǒng)的重量減輕33%，系統(tǒng)成本最多可降低25%。

京瓷和ESK聯(lián)手生產(chǎn)SiC產(chǎn)品

據(jù)外媒報(bào)道，材料公司ESK-SiC GmbH與陶瓷和半導(dǎo)體技術(shù)專家京瓷（Kyocera）建立了合作伙伴關(guān)系，為SiC和相關(guān)終端產(chǎn)品的可持續(xù)生產(chǎn)開發(fā)解決方案。據(jù)悉，副產(chǎn)品和報(bào)廢陶瓷將使用RECOSiC技術(shù)進(jìn)行回收，并用以生產(chǎn)專門針對(duì)各種終端應(yīng)用量身定制的原材料。

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合！芯聯(lián)動(dòng)力與南瑞半導(dǎo)體深化SiC芯片合作

2月6日，芯聯(lián)集成（原“中芯集成”）下屬子公司芯聯(lián)動(dòng)力與國電南瑞控股子公司南京南瑞半導(dǎo)體的簽約儀式在南京舉行。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將在SiC芯片等產(chǎn)品上展開科技研發(fā)、供應(yīng)鏈保障、市場(chǎng)拓展等全方位的深度合作，進(jìn)而加強(qiáng)雙方在新型電力系統(tǒng)領(lǐng)域的競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，南瑞半導(dǎo)體公司定位為國家電網(wǎng)公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)解決方案的提供商。芯聯(lián)動(dòng)力公司定位為車規(guī)級(jí)SiC制造及模組封裝的一站式系統(tǒng)解決方案提供者，也是國內(nèi)率先大規(guī)模量產(chǎn)新能源汽車SiC主驅(qū)逆變器SiC企業(yè)。

值得一提的是，近日，芯聯(lián)集成官宣與蔚來簽署了SiC模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。按照雙方簽署的協(xié)議，芯聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V SiC模塊的生產(chǎn)供應(yīng)商，該SiC模塊將用于蔚來900V高壓純電平臺(tái)。此外，芯聯(lián)集成在近期公布的2023年業(yè)績預(yù)告中表示，公司正在建設(shè)的國內(nèi)第一條8英寸 SiC 器件研發(fā)產(chǎn)線將于2024年通線，同時(shí)將與多家新能源汽車主機(jī)廠簽訂合作協(xié)議，2024年SiC業(yè)務(wù)營收預(yù)計(jì)將超過10億元。

出貨量突破1500萬只，中國電科馳騁第三代半導(dǎo)體“黃金賽道”

近日，中國電科自主研制的40臺(tái)碳化硅外延爐成功進(jìn)駐客戶現(xiàn)場(chǎng)。在新能源汽車、工業(yè)互聯(lián)、5G通信、消費(fèi)電子等多重需求強(qiáng)力拉動(dòng)下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展。中國電科高度重視第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，集聚全國50多家產(chǎn)學(xué)研用優(yōu)勢(shì)單位，牽頭組建國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，完成從材料、裝備、工藝到器件、模塊、應(yīng)用的體系化布局，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。

月產(chǎn)12,000片！這條SiC功率器件晶圓線，加快推進(jìn)！

士蘭明鎵公司正在加快推進(jìn)“SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”的建設(shè)。目前，士蘭明鎵公司已具備月產(chǎn) 3000 片 6 吋 SiC-MOSFET 芯片的生產(chǎn)能力，現(xiàn)有產(chǎn)能已滿載。士蘭明鎵正在加快項(xiàng)目設(shè)備的購置和安裝調(diào)試，預(yù)計(jì) 2024 年年底將具備月產(chǎn)12,000 片 6 吋 SiC 芯片的產(chǎn)能。近幾個(gè)月來，基于士蘭明鎵 SiC-MOSFET 的電動(dòng)汽車主驅(qū)功率模塊，已通過國內(nèi)多家客戶的質(zhì)量認(rèn)定，與國際大廠的量產(chǎn)水平相當(dāng)，并已接獲批量訂單開始陸續(xù)交付。

河南首塊8英寸SiC單晶出爐！

據(jù)中國平煤神馬集團(tuán)官微消息，近日中宜創(chuàng)芯公司實(shí)驗(yàn)室成功生長出8英寸SiC單晶晶錠，驗(yàn)證了該公司SiC半導(dǎo)體粉體在長晶方面的優(yōu)勢(shì)，標(biāo)志著河南省SiC半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入國內(nèi)主流行列。據(jù)介紹，中宜創(chuàng)芯利用國內(nèi)外先進(jìn)的粉體合成爐和自動(dòng)化無污染破碎技術(shù)組織研發(fā)生產(chǎn)，具有單爐產(chǎn)能大、顆粒度大、純度高、阿爾法含量高和游離碳低等優(yōu)點(diǎn)，更適合8英寸SiC厚單晶晶錠的生長。

據(jù)悉，2023年9月21日，中宜創(chuàng)芯年產(chǎn)2000噸電子級(jí)SiC粉體項(xiàng)目啟動(dòng)試生產(chǎn)。2023年國慶期間，經(jīng)權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)，中宜創(chuàng)芯首爐SiC產(chǎn)品純度為99.99996%，達(dá)到國內(nèi)優(yōu)等品標(biāo)準(zhǔn)。10月17日該項(xiàng)目一期試生產(chǎn)結(jié)束，第一批設(shè)備全部投料完成，標(biāo)志著河南電子級(jí)SiC粉體開始進(jìn)入批量生產(chǎn)階段；12月19日宣布達(dá)產(chǎn)500噸。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)產(chǎn)能位居全國前列，產(chǎn)品在國內(nèi)市場(chǎng)占有率在30%以上，全球市場(chǎng)占有率在10%以上。

108億！美國商務(wù)部大力扶持GaN大廠格芯

作為芯片和科學(xué)法案的一部分，美國商務(wù)部近日宣布計(jì)劃向格芯(GF)提供15億美元（折合人民幣約108億元）的直接資助，用以擴(kuò)大其在美國的GaN晶圓廠產(chǎn)能。部分?jǐn)M議資金將支持格芯建立美國第一家能夠大批量生產(chǎn)下一代GaN半導(dǎo)體的工廠，這些半導(dǎo)體將用于電視、電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、5G和6G智能手機(jī)以及其他關(guān)鍵技術(shù)。值得一提的是，2023年10月，格芯GaN項(xiàng)目還獲得了美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.5億元）的資助。

這筆15億美元的投資還將有助于提升和擴(kuò)大格芯現(xiàn)有佛蒙特工廠的產(chǎn)能。此外，投資還將用于格芯位于紐約州馬耳他的工廠，增加格芯新加坡和德國工廠已經(jīng)投入生產(chǎn)的技術(shù)，為美國汽車行業(yè)提供服務(wù)。

美國向SK Siltron CSS提供5.44億美元貸款用于高質(zhì)量SiC晶圓的生產(chǎn)

2月23日，美國能源部（DOE）貸款計(jì)劃辦公室（LPO）宣布向SK Siltron CSS， LLC提供5.44億美元的有條件貸款，以擴(kuò)大美國電動(dòng)汽車（EV）電力電子設(shè)備用高質(zhì)量碳化硅（SiC）晶圓的生產(chǎn)。碳化硅半導(dǎo)體專為高壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)，是電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，包括逆變器，以及車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等配電系統(tǒng)。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在擴(kuò)建階段創(chuàng)造多達(dá)200個(gè)建筑工作崗位，并在位于密歇根州貝城的SK siltron CSS工廠全面生產(chǎn)時(shí)創(chuàng)造多達(dá)200個(gè)熟練、高薪的運(yùn)營工作崗位。該工廠預(yù)計(jì)將成為全球五大碳化硅硅片制造商之一，提高美國的制造業(yè)競(jìng)爭力，并擴(kuò)大我們?cè)谖磥砬鍧嵞茉醇夹g(shù)方面的全球領(lǐng)導(dǎo)地位。

世界先進(jìn)：氮化鎵項(xiàng)目獲政府補(bǔ)貼0.35億，預(yù)計(jì)三年后進(jìn)入量產(chǎn)

近日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門將給世界先進(jìn)提供1.5億新臺(tái)幣（約合人民幣0.35億元）研發(fā)補(bǔ)助，將用于全球首例氮化鎵外延結(jié)合8吋QST襯底，以及1200V高效能氮化鎵功率元件制程技術(shù)項(xiàng)目。據(jù)悉，世界先進(jìn)為此投資4.26億新臺(tái)幣，充分利用GaN-on-QST 8吋襯底熱匹配特性，預(yù)期提升器件耐壓至1200V以上，主要對(duì)標(biāo)電動(dòng)車車載充電器、充電樁等高壓高功率系統(tǒng)的器件市場(chǎng)，未來將投入車用及工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)。

芯華睿：總投資5億元，規(guī)劃年產(chǎn)SiC模組200萬只

2月19日，據(jù)東臺(tái)日?qǐng)?bào)消息，江蘇芯華睿微電子已全面步入試生產(chǎn)階段。此前，根據(jù)東臺(tái)市政府辦文件透露，芯華睿的《新能源及車規(guī)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目》在東臺(tái)市高新區(qū)落地建設(shè)，將聚焦Si、SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)。

據(jù)悉，該項(xiàng)目屬于新建項(xiàng)目，總投資為5億元，租用現(xiàn)有廠房進(jìn)行建設(shè)，建筑面積約為1.56萬平方米，購置全自動(dòng)銀燒結(jié)及貼裝設(shè)備、全自動(dòng)印刷機(jī)、貼片機(jī)、真空回流爐等主要設(shè)備近百臺(tái)/套，外購8寸/12寸硅基、碳化硅大功率芯片等原材料，其中預(yù)計(jì)IGBT芯片年用量為1080萬顆，SiC芯片年用量為3200萬顆。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，可年產(chǎn)汽車、光伏、工控功率模組產(chǎn)品200 萬只。

長晶科技：投資9.5億元，或?qū)⒛戤a(chǎn)SiC功率器件200億顆

近日，據(jù)“浦口發(fā)布”消息，長晶科技的新型元器件項(xiàng)目在浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)建設(shè)，或?qū)⑸a(chǎn)SiC、IGBT功率器件。該項(xiàng)目由長晶科技旗下浦聯(lián)半導(dǎo)體投資建設(shè)，總投資9.5億元，在2024年計(jì)劃投資3億元，總建筑面積約12.9萬平方米，主要生產(chǎn)表面貼裝的半導(dǎo)體分立器件和功率器件。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)器件200億顆，年產(chǎn)值12億元，年稅收5000萬元，可帶動(dòng)就業(yè)1200人。浦聯(lián)半導(dǎo)體目前掌握了SGT MOSFET、CSP MOSFET、超結(jié)MOSFET、IGBT單管、SiC肖特基二極管等產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)的部分新產(chǎn)品在技術(shù)水平上處于國內(nèi)前列，具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭力。

新華錦：投資20億元用于SiC碳材料項(xiàng)目，規(guī)劃年產(chǎn)能為6000噸

2月21日，山東省平度市成功舉行了2024年的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目春季集中簽約活動(dòng)，包括新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目在內(nèi)的48個(gè)項(xiàng)目順利簽約。據(jù)悉，新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目由新華錦集團(tuán)投資興建，總投資額為20億元，主要規(guī)劃包括建設(shè)年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體用細(xì)顆粒等靜壓石墨和1000噸半導(dǎo)體用多孔石墨的生產(chǎn)基地。

值得關(guān)注的是，2023年11月，新華錦集團(tuán)旗下華錦新材宣布正式點(diǎn)火投產(chǎn)。該項(xiàng)目主要生產(chǎn)第三代半導(dǎo)體芯片用特種石墨材料，主要應(yīng)用于SiC襯底熱場(chǎng)領(lǐng)域等需求，有望填補(bǔ)市場(chǎng)上的自主產(chǎn)品空白，解決該領(lǐng)域內(nèi)的關(guān)鍵核心難題。

ASE半導(dǎo)體：新建項(xiàng)目投資1.42億元，將生產(chǎn)SiC清洗機(jī)等產(chǎn)品

2月20日，“水韻巴城”發(fā)布消息稱，昆山市巴城鎮(zhèn)成功簽約2個(gè)韓資半導(dǎo)體項(xiàng)目，總體投資達(dá)5000萬美元（約合人民幣3.56億），其中包含1個(gè)碳化硅項(xiàng)目。據(jù)悉，該項(xiàng)目由韓國ASE半導(dǎo)體投資2000萬美元（約合人民幣1.42億元）進(jìn)行建設(shè)，致力于半導(dǎo)體清洗機(jī)、電力半導(dǎo)體碳化硅清洗機(jī)、刻蝕機(jī)、液晶清洗機(jī)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。ASE半導(dǎo)體是韓國首家成功完成了對(duì)20納米級(jí)半導(dǎo)體用硅晶圓清洗設(shè)備的國產(chǎn)化公司，此次簽約，是韓國ASE株式會(huì)社在中國投資的全新項(xiàng)目。

廣州新增一SiC項(xiàng)目，產(chǎn)能或達(dá)80萬只

2月15日，據(jù)廣州新快報(bào)社消息，位于廣州番禺區(qū)化龍鎮(zhèn)的廣汽智聯(lián)新能源汽車產(chǎn)業(yè)園已陸續(xù)開工，其中包括1家碳化硅模塊廠商——廣州青藍(lán)半導(dǎo)體。據(jù)介紹，青藍(lán)半導(dǎo)體打造了國內(nèi)先進(jìn)的半導(dǎo)體IGBT/SiC生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、24小時(shí)不間斷生產(chǎn)。2023年12月，青藍(lán)半導(dǎo)體在IGBT項(xiàng)目投產(chǎn)儀式上宣布，他們的項(xiàng)目總投資4.63億元，兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)IGBT模塊產(chǎn)能達(dá)80萬只/年。公開信息顯示，2021年12月，青藍(lán)半導(dǎo)體由廣汽集團(tuán)子公司廣汽零部件有限公司與株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體公司合資成立，注冊(cè)資本3億元。其中廣汽部件占比51%，株洲中車占比49%。

這個(gè)8英寸SiC和GaN晶圓廠項(xiàng)目簽約福建

2月20日，福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會(huì)召開，大會(huì)進(jìn)行了重大項(xiàng)目集中簽約儀式，長樂區(qū)簽約落地16個(gè)重大項(xiàng)目，其中之一為天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目。據(jù)悉，天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目將新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）晶圓廠，并通過產(chǎn)業(yè)并購和新建項(xiàng)目等方式布局第三代半導(dǎo)體襯底外延、晶圓制造、器件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)應(yīng)用及相關(guān)設(shè)備生產(chǎn)等全產(chǎn)業(yè)鏈。

值得一提的是，福州近日還新簽約兩個(gè)GaN項(xiàng)目，總投資額超10億元。其中之一為芯睿半導(dǎo)體GaN晶圓廠項(xiàng)目，由福建芯睿半導(dǎo)體有限公司建設(shè)。另外一個(gè)項(xiàng)目為福州鎵谷GaN外延片項(xiàng)目，由福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司建設(shè)，主營第三代半導(dǎo)體的研發(fā)與生產(chǎn)，預(yù)計(jì)投入10億元，用地86畝，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片。

SiC外延設(shè)備廠商芯三代擬A股IPO！

2月18日，證監(jiān)會(huì)披露了關(guān)于芯三代半導(dǎo)體科技 (蘇州) 股份有限公司首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。資料顯示，芯三代成立于2020年9月，致力于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)設(shè)備，目前聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC-CVD裝備。該公司將工藝和設(shè)備緊密結(jié)合研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過溫場(chǎng)控制、流場(chǎng)控制等方面的設(shè)計(jì)，在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長時(shí)間多爐數(shù)連續(xù)自動(dòng)生長控制、低缺陷率、維護(hù)便利性和可靠性等方面都具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

功率半導(dǎo)體器件廠商芯長征擬A股IPO

近日，證監(jiān)會(huì)披露了關(guān)于江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。資料顯示，芯長征是一家集新型功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)與封裝制造為一體的高新技術(shù)科技企業(yè)，核心業(yè)務(wù)包括IGBT、coolmos、SiC等芯片產(chǎn)品及技術(shù)開發(fā)、IGBT模塊設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試代工等。融資方面，2023年1月，芯長征完成數(shù)億元D輪融資。本輪融資后，芯長征將進(jìn)一步加大在汽車和新能源等領(lǐng)域的研發(fā)投入及產(chǎn)能擴(kuò)充，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。

中機(jī)新材完成過億元A輪融資

深圳中機(jī)新材料有限公司完成過億元A輪融資。據(jù)悉，傳統(tǒng)磨拋方案中，研磨液占SiC襯底原材料成本的15.5%，傳統(tǒng)多晶和類多晶研磨成本中高氯酸占總成本的30%，并且高氯酸產(chǎn)生的環(huán)境污染時(shí)間長、范圍廣、難以根除。

而中機(jī)新材首創(chuàng)的團(tuán)聚金剛石技術(shù)，替代了多晶和類多晶，生產(chǎn)過程環(huán)保并降低了成本。耗液量上，團(tuán)聚金剛石方案用量僅為3μm單晶金剛石方案的20%，即使選用昂貴的進(jìn)口團(tuán)聚金剛石，6英寸SiC襯底片加工也有成本優(yōu)勢(shì)。目前，中機(jī)新材已成功進(jìn)入比亞迪、天岳先進(jìn)、同光半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、合盛硅業(yè)、晶盛機(jī)電、露笑科技等頭部企業(yè)。

美浦森半導(dǎo)體完成A3輪融資

深圳市美浦森半導(dǎo)體完成A+輪融資，投資方為深圳深照、卓源資本。據(jù)悉，美浦森半導(dǎo)體成立于2014年，公司核心主創(chuàng)團(tuán)隊(duì)來自于中芯國際、華虹半導(dǎo)體、美國AOS、韓國Power Devices等廠家，擁有15年以上的功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)。

晶亦精微科技成功過會(huì)，2024第一家半導(dǎo)體設(shè)備申報(bào)

北京晶亦精微科技股份有限公司的首次公開募股（IPO）成功獲批，預(yù)計(jì)將在科創(chuàng)板掛牌上市。這一動(dòng)作標(biāo)志著又一家專注于碳化硅（SiC）相關(guān)技術(shù)的企業(yè)即將邁入公開市場(chǎng)，展示了第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展勢(shì)頭。

晶亦精微主打化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件，為半導(dǎo)體制造提供關(guān)鍵技術(shù)支持。公司此次擬募資12.9億元人民幣，資金將主要用于高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目、工藝提升及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及研發(fā)與制造中心建設(shè)項(xiàng)目等，其中包括對(duì)SiC材料CMP成套工藝及設(shè)備的開發(fā)，以及研磨液循環(huán)利用系統(tǒng)、研磨液均勻分布系統(tǒng)等技術(shù)的產(chǎn)品化和產(chǎn)業(yè)化。

志橙半導(dǎo)體IPO已問詢，募集8億投資SiC項(xiàng)目

2月3日，據(jù)深交所創(chuàng)業(yè)板信息披露，志橙半導(dǎo)體提交上市申請(qǐng)書于2023年6月26日被受理，目前處于第三輪問詢狀態(tài)。本次招股預(yù)計(jì)融資8億元。根據(jù)招股書內(nèi)容，志橙半導(dǎo)體本次募集資金擬投入公司SiC項(xiàng)目，雖然擬募集8億元，但項(xiàng)目總投資超11億元。

志橙半導(dǎo)體公司是一家主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售用于半導(dǎo)體設(shè)備的SiC涂層石墨零部件產(chǎn)品，并提供相關(guān)SiC涂層服務(wù)的國家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)。主要產(chǎn)品可用于SiC外延設(shè)備、MOCVD設(shè)備、Si外延設(shè)備等多種半導(dǎo)體設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)，參與外延片制造、晶圓制造等不同制造環(huán)節(jié)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域。

SiC，迎來勁敵

過去十年，半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的故事之一就是在電力電子領(lǐng)域意外超越傳統(tǒng)硅——碳化硅(SiC) 和氮化鎵(GaN) 已超越硅，占領(lǐng)了價(jià)值數(shù)十億美元的細(xì)分市場(chǎng)市場(chǎng)的。那么下一個(gè)新型功率半導(dǎo)體是什么？目前，人們的注意力集中在三種候選材料上：氧化鎵、金剛石和氮化鋁(AlN)。它們都具有顯著的特性，但也存在迄今為止阻礙商業(yè)成功的根本弱點(diǎn)。然而，得益于最近的幾項(xiàng)突破，包括名古屋大學(xué)在去年 12 月于舊金山舉行的最新IEEE 國際電子器件會(huì)議上報(bào)告的一項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，AlN 的前景已大大改善。有業(yè)內(nèi)人士指出：希望在 3-5 年內(nèi)解決AlN商用問題，并在 2030 年代實(shí)現(xiàn)基于 AlN 的功率器件的商業(yè)化。

GaN開啟了“無限復(fù)制”時(shí)代！

2月21日，光州科學(xué)技術(shù)院（GIST，校長Kichul Lim）宣布，學(xué)校電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)院的Dong-Seon Lee教授的研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出了僅采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體遠(yuǎn)程同質(zhì)外延技術(shù)。

外延技術(shù)，即在半導(dǎo)體制造中將半導(dǎo)體材料生長成對(duì)齊良好的薄膜，對(duì)于半導(dǎo)體制造至關(guān)重要。使用外延技術(shù)進(jìn)行的GaN遠(yuǎn)程同質(zhì)外延在GaN晶片上形成了二維材料?？梢栽诰仙L出與晶片質(zhì)量相同的GaN半導(dǎo)體，并容易地移除，從而實(shí)現(xiàn)使用單個(gè)GaN晶片連續(xù)生產(chǎn)GaN半導(dǎo)體。

Dong-Seon Lee教授說：“這項(xiàng)研究實(shí)現(xiàn)了之前被認(rèn)為是不可能的‘GaN遠(yuǎn)程同質(zhì)外延’技術(shù)。雖然它仍處于早期階段，但我們希望依托這項(xiàng)技術(shù)，引領(lǐng)未來基于此技術(shù)的微LED和下一代GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，并將其應(yīng)用于未來顯示器上。

北大團(tuán)隊(duì)新型器件技術(shù)加速GaN進(jìn)入工業(yè)與汽車應(yīng)用

目前GaN功率器件的短路可靠性仍處于較差的水平，這阻礙了其在工業(yè)級(jí)高功率領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。負(fù)載短路狀態(tài)下，GaN功率器件同時(shí)承受高電壓和大電流，快速導(dǎo)致晶體管損壞。盡管目前有大量關(guān)于測(cè)試表征GaN器件短路能力的研究，但很少報(bào)道提高其短路能力的方法。為了解決這個(gè)問題，有必要降低器件飽和電流密度，以提高晶體管本身固有的短路能力。

針對(duì)上述問題，北京大學(xué)集成電路學(xué)院魏進(jìn)課題組開發(fā)了一種新型GaN功率晶體管結(jié)構(gòu)，在緊鄰源極的區(qū)域引入一個(gè)肖特基延伸區(qū)。所提出的器件具有更低的飽和電流密度，實(shí)現(xiàn)了短路能力的大幅度提高。在片測(cè)試表明，該新型器件可以承受>650V的短路脈沖測(cè)試。該技術(shù)為提高GaN功率器件的短路能力提供了一種超具前景的解決方案，對(duì)推動(dòng)GaN功率器件在工業(yè)、汽車應(yīng)用中的發(fā)展具有重要意義。

80W無線快充將至，短期內(nèi)或依舊是旗艦機(jī)專屬

日前有消息顯示，小米的80W無線充電技術(shù)已完成測(cè)試，今年年內(nèi)或?qū)⒙涞貞?yīng)用。但相關(guān)消息源同時(shí)指出，即將發(fā)布的小米14 Ultra或?qū)⒉粫?huì)配備這一新的無線充電方案，而是大概率會(huì)沿用現(xiàn)款的最高功率達(dá)50W的無線快充，但后續(xù)用上80W無線快充方案的機(jī)型，極有可能依舊是定位高端市場(chǎng)的旗艦機(jī)型。

事實(shí)上，目前智能手機(jī)將無線充電最高功率限制在50W，源自2021年2月19日工信部無線電管理局明確要求強(qiáng)調(diào)無線充電額定傳輸功率不超過50W。后續(xù)，工信部方面印發(fā)了將于2024年9月1日起執(zhí)行的《無線充電（電力傳輸）設(shè)備無線電管理暫行規(guī)定》，其中要求“移動(dòng)、便攜式無線充電設(shè)備，其工作頻率范圍為100-148.5kHz、6765-6795kHz、13553-13567kHz頻段，且額定傳輸功率不超過80W”。進(jìn)一步放寬的無線充電功率限制，對(duì)于相關(guān)技術(shù)的落地和成熟無疑將會(huì)起到一定的促進(jìn)作用。

重磅Nature Energy：鈉電池新突破！

鈉電池，作為鋰基電池的一種替代產(chǎn)品，由于其在經(jīng)濟(jì)上可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，尤其是考慮到鈉礦物的豐富資源、廣泛分布和低成本，被認(rèn)為是下一代能量存儲(chǔ)系統(tǒng)的重要候選者。目前的電解質(zhì)體系中，鈉的低電位通常導(dǎo)致電解質(zhì)鹽和溶劑的不受控制的還原，形成不穩(wěn)定的固體電解質(zhì)界面。這種不穩(wěn)定性導(dǎo)致鈉枝晶的不受控制生長，進(jìn)而導(dǎo)致電解質(zhì)的持續(xù)消耗和鈉庫存的不可逆損失。

針對(duì)這一問題，德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校德克薩斯材料研究所Arumugam Manthiram等人于Nature Energy刊發(fā)表“Tuning the solvation structure with salts for stable sodium-metal batteries”的研究成果，他們提出了一種新穎的電解質(zhì)設(shè)計(jì)方法，即利用鹽作為稀釋劑來降低昂貴的稀釋劑和鹽的用量。通過使用硝酸鈉作為模型稀釋劑，提出了一種非易燃、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的TMP電解質(zhì)體系，其中NaFSI和NaNO3的低濃度顯著降低了LHCE所需的鹽量，降低了電解質(zhì)的成本。這種TMP電解質(zhì)體系能夠形成緊湊、均勻的鹽衍生的電極-電解質(zhì)界面層，顯著提高了鈉金屬電池的穩(wěn)定性。

凹凸不平的半球形光伏電池來了：可多收集66%的能量

近日，土耳其阿卜杜拉居爾大學(xué)的研究人員提出了一種有機(jī)光伏電池結(jié)構(gòu)的半球形殼形狀，旨在增強(qiáng)光吸收和角度覆蓋。他們采用三維有限元分析方法研究了半球殼狀有源層內(nèi)的吸收光譜。研究表明，在有機(jī)太陽能電池表面建造微型圓頂可以將其效率提高三分之二，同時(shí)從更廣泛的角度捕獲光線。在這項(xiàng)新研究中，研究人員對(duì)圓頂形凸起如何增強(qiáng)有機(jī)太陽能表面性能進(jìn)行了復(fù)雜的數(shù)值模擬，相關(guān)研究成果已于2月14日發(fā)表在《能源光子學(xué)雜志》上。

Yole：2028年功率器件市場(chǎng)將達(dá)333億美元

受電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(xEV)、可再生能源和工業(yè)電機(jī)等應(yīng)用推動(dòng)，Yole預(yù)計(jì)到2028年，全球功率器件市場(chǎng)將增長至333億美元，中國廠商將在電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢(shì)下迅猛發(fā)展。

Yole新近數(shù)據(jù)顯示，全球功率器件市場(chǎng)將從2023年的約230億美元快速增長到2028年的333億美元，這一需求需要建立更多的硅、SiC和GaN功率器件制造產(chǎn)能來支撐在SiC功率器件領(lǐng)域，主要受電動(dòng)汽車的推動(dòng)，預(yù)計(jì)到2028年電子電力器件的市場(chǎng)規(guī)模占比將達(dá)25%左右；在GaN功率器件領(lǐng)域，主要受到消費(fèi)類快充以及智能手機(jī)、電腦適配器需求推動(dòng)。

一直以來，硅器件廠商在不斷發(fā)展，并積極擁抱轉(zhuǎn)向12英寸晶圓的趨勢(shì)，以提升產(chǎn)能并降低單顆裸芯的成本。硅晶圓也可用于傳感器等其他微電子器件，因此與從6英寸碳化硅晶圓過渡到8英寸相比，投資12英寸晶圓制造設(shè)備的風(fēng)險(xiǎn)更低。

Yole電力電子首席分析師Ana Villamor預(yù)測(cè)，未來五年內(nèi)，在當(dāng)前5600萬片8英寸等效晶圓的基礎(chǔ)上，每年將增加2500萬片8英寸等效晶圓產(chǎn)能，這是一個(gè)超強(qiáng)投資周期，也是電子電力行業(yè)有史以來最大的投資周期。

多家功率器件原廠發(fā)布漲價(jià)函，漲價(jià)幅度最高達(dá)20%

近期，由于全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體原材料供應(yīng)緊張，導(dǎo)致價(jià)格不斷上漲。多家功率器件原廠發(fā)布了漲價(jià)函，這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。這些原廠包括國際知名廠商和國內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)，他們紛紛表示，由于原材料價(jià)格上漲、人工成本增加等因素，不得不調(diào)整產(chǎn)品價(jià)格。

在漲價(jià)函中，各家原廠詳細(xì)列出了漲價(jià)的具體原因。首先，全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體原材料供應(yīng)緊張，導(dǎo)致價(jià)格不斷上漲，同時(shí)引線框架等封裝材料價(jià)格也同步上漲。此外，隨著科技的不斷發(fā)展，功率器件的制造工藝越來越復(fù)雜，生產(chǎn)成本也在不斷增加。同時(shí)，人工成本（人工、房租、稅費(fèi)等）的增加也是不可忽視的因素之一。為了保持企業(yè)的正常運(yùn)營和盈利能力，功率器件原廠方面不得不提高產(chǎn)品價(jià)格，以應(yīng)對(duì)持續(xù)低迷的市場(chǎng)。

碳化硅五巨頭業(yè)績出爐：技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)策略并行

意法半導(dǎo)體在2023年的全年財(cái)報(bào)中呈現(xiàn)出亮眼的業(yè)績，凈營收達(dá)到了172.9億美元，實(shí)現(xiàn)了7.2%的增長率；毛利率為47.9%，而營業(yè)利潤率高達(dá)26.7%，凈利潤為42.1億美元。在這一系列令人印象深刻的財(cái)務(wù)指標(biāo)中，特別值得注意的是其在碳化硅產(chǎn)品領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)。碳化硅產(chǎn)品營收飆升至11.4億美元，同比增長超過60%，這一成績不僅展示了碳化硅產(chǎn)品在全球市場(chǎng)上強(qiáng)勁的需求，也體現(xiàn)了意法半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先和市場(chǎng)競(jìng)爭力。

意法半導(dǎo)體在生產(chǎn)和制造方面的新動(dòng)態(tài)凸顯了公司對(duì)碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的深度投入和戰(zhàn)略布局。通過在卡塔尼亞和新加坡的工廠增加前端設(shè)備，并提升摩洛哥和中國工廠的后端制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體顯著擴(kuò)大了其生產(chǎn)規(guī)模和效率。特別值得關(guān)注的是，公司在卡塔尼亞工廠部署的新型集成碳化硅襯底設(shè)備已經(jīng)開始投產(chǎn)，這標(biāo)志著其碳化硅IDM（集成器件制造）戰(zhàn)略的關(guān)鍵進(jìn)展。

英飛凌科技在2024財(cái)年第一季度展現(xiàn)了令人矚目的財(cái)務(wù)業(yè)績，營收達(dá)到37.02億歐元，利潤高達(dá)8.31億歐元，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)22.4%的利潤率。這一成績不僅彰顯了英飛凌在除汽車行業(yè)外其他市場(chǎng)環(huán)境疲軟情況下依然保持的強(qiáng)勁盈利能力，也體現(xiàn)了公司通過技術(shù)創(chuàng)新、成本控制和市場(chǎng)擴(kuò)張等策略在全球汽車市場(chǎng)中占據(jù)的重要地位。

首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck指出英飛凌在面對(duì)宏觀經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)時(shí)的堅(jiān)韌業(yè)績，盡管預(yù)計(jì)消費(fèi)、通信、計(jì)算和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域的需求在2024年上半年不會(huì)明顯復(fù)蘇，英飛凌對(duì)汽車行業(yè)的預(yù)期依然堅(jiān)定不移。這種持續(xù)適應(yīng)市場(chǎng)形勢(shì)的能力，以及對(duì)未來低碳化和數(shù)字化趨勢(shì)的投資，為公司的長期增長奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

Wolfspeed在2024財(cái)年前半年的財(cái)務(wù)報(bào)告揭示了其在碳化硅器件領(lǐng)域的業(yè)績?cè)鲩L以及面臨的挑戰(zhàn)。第二季度營收達(dá)到了2.08億美元，同比增長約20%，主要得益于功率器件業(yè)務(wù)的強(qiáng)勁表現(xiàn)，其中收入創(chuàng)下1.08億美元的新高。然而，盡管營收呈現(xiàn)增長，公司的凈虧損同比擴(kuò)大至5.4億美元，凈虧損率大幅增加，顯示了公司在維持營收增長的同時(shí)面臨著盈利壓力。

Wolfspeed的毛利率為16.4%，低于市場(chǎng)預(yù)期，反映了制造成本增加、產(chǎn)銷趨緩和通脹影響的挑戰(zhàn)。公司經(jīng)營費(fèi)用的同比增長和利潤的虧損進(jìn)一步暴露了公司在運(yùn)營效率和成本控制上的壓力。

安森美公司在2023年展現(xiàn)了強(qiáng)勁的增長勢(shì)頭，尤其在汽車業(yè)務(wù)領(lǐng)域取得了顯著的成績。第四季度總營收達(dá)到20.18億美元，超出市場(chǎng)平均預(yù)期，凈利潤雖同比下滑7%至5.63億美元，但汽車業(yè)務(wù)收入?yún)s創(chuàng)下43億美元的年度紀(jì)錄，同比增長29%。這一成績不僅凸顯了安森美在汽車行業(yè)中的領(lǐng)先地位，也反映了公司在技術(shù)創(chuàng)新和適應(yīng)市場(chǎng)變化方面的強(qiáng)大能力。

安森美的成功也得益于其在碳化硅業(yè)務(wù)上的顯著成就，實(shí)現(xiàn)了同比增長四倍的佳績。這種全面增長策略使得公司能夠在全球半導(dǎo)體行業(yè)的不確定環(huán)境中保持競(jìng)爭力，并實(shí)現(xiàn)可預(yù)見和可持續(xù)的成長。

高意光電（Coherent）作為全球材料、網(wǎng)絡(luò)和激光領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者之一，在工業(yè)、通信、電子和儀器市場(chǎng)均有所涉及，其中碳化硅襯底僅是其眾多業(yè)務(wù)中的一環(huán)。2023年11月7日，高意光電發(fā)布了2024財(cái)年第一季度的財(cái)務(wù)報(bào)告，報(bào)告顯示公司營收有所下降，并同時(shí)公布了一系列重組計(jì)劃，以應(yīng)對(duì)當(dāng)前行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。

根據(jù)該財(cái)報(bào)，高意光電第一季度的營收為10.53億美元，相比于上一季度及去年同期均出現(xiàn)下滑。盡管營收面臨壓力，公司的毛利率仍維持在34.8%的穩(wěn)定水平。盡管公司出現(xiàn)了凈虧損，但凈收入仍然為正，這反映了高意光電在成本控制和運(yùn)營效率方面的有效管理。值得注意的是，盡管高意光電預(yù)計(jì)2024年下半年材料部門的需求將會(huì)疲軟，但碳化硅的需求仍舊強(qiáng)勁。這一趨勢(shì)得到了DENSO和三菱電機(jī)等合作伙伴的支持，它們已承諾向高意光電投資總計(jì)10億美元，以支持公司的6英寸和8英寸碳化硅襯底及外延片的需求。

天岳先進(jìn)導(dǎo)電型碳化硅襯底市占率躍居全球第二

2月18日，中國碳化硅襯底企業(yè)迎來好消息。日本行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布報(bào)告顯示，在2023年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場(chǎng)占有率排行中，中國天岳先進(jìn)（SICC）超過美國Coherent（原名II-VI），躍居全球第二。另一家中國公司天科合達(dá)（TankeBlue）則市場(chǎng)份額位列第四。Wolfspeed連續(xù)多年市占率第一，但受到來自其他襯底公司的競(jìng)爭壓力，占比持續(xù)下滑。

報(bào)告還指出，在電動(dòng)汽車、電力設(shè)備以及能源領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)下，SiC功率器件市場(chǎng)需求整體堅(jiān)挺， 2030年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到近150億美元，占到整體功率器件市場(chǎng)約24%，2035年則有望超過200億美元，屆時(shí)SiC器件市場(chǎng)規(guī)模將占到整體功率器件的40%以上。為此，業(yè)內(nèi)主要廠家都在積極進(jìn)行擴(kuò)建以及做好設(shè)備投資的準(zhǔn)備，特別是中國企業(yè)，除滿足本國需求外，開始不斷擴(kuò)張世界范圍內(nèi)的市場(chǎng)占有率。其中備受關(guān)注的依然是襯底材料。

根據(jù)報(bào)告分析，全球SiC襯底銷售主要分布在四大市場(chǎng)，日本17.4%、中國24.4%、北美20%、歐洲29%。歐洲已成為全球最大的SiC襯底市場(chǎng)，報(bào)告指出：天岳先進(jìn)先后和英飛凌、博世簽訂了長期供應(yīng)協(xié)議，2023年和英飛凌簽訂了新的供應(yīng)協(xié)議。

來源 | Yole、集邦化合物半導(dǎo)體、行家說三代半、環(huán)球零碳、全球半導(dǎo)體觀察、今日半導(dǎo)體、碳化硅SiC半導(dǎo)體材料、充電頭網(wǎng)等。

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